晶間腐蝕試驗(yàn)是對(duì)其腐蝕進(jìn)行一定的檢測(cè)，而奧氏體不銹鋼又是我們常見的材料之一，因此對(duì)于它的檢測(cè)肯定是少不了的，所以為了方便大家的了解，接下來就其實(shí)驗(yàn)的詳細(xì)操作進(jìn)行介紹。
　　晶間腐蝕：局部腐蝕的一種，沿著金屬晶粒間的分界面向內(nèi)部擴(kuò)展的腐蝕。

　　要求不銹鋼的耐腐蝕能力的需要是鉻的質(zhì)量分?jǐn)?shù)12%要多，當(dāng)溫度升高，特別是在450℃～800℃時(shí)，碳在不銹鋼晶粒內(nèi)部的擴(kuò)散速度大于鉻的擴(kuò)散速度，室溫時(shí)，碳在奧氏體中的熔解度很小，約為0.02%～0.03%，一般奧氏體不銹鋼中的碳含量均超過此值，故溶解不了多余的碳就不斷地向奧氏體晶粒邊界擴(kuò)散，并和鉻化合，在晶間形成碳和鉻的化合物，如Cr23C6等。而鉻的擴(kuò)散速度較小，來不及向晶界擴(kuò)散，所以在晶間腐蝕試驗(yàn)中，所形成的碳化鉻所需的鉻主要不是來自?shī)W氏體晶粒內(nèi)部，而是來自晶界附近，結(jié)果就使晶界附近的含鉻量大為減少，當(dāng)晶界附近的鉻的質(zhì)量分?jǐn)?shù)低到小于12%時(shí)，就形成相對(duì)的“貧鉻區(qū)”，“貧鉻區(qū)”電位下降，而晶粒本身仍維持高電位，晶粒與“貧鉻區(qū)”之間存在著一定的電位差，而在試驗(yàn)里，介質(zhì)中晶界的溶解速度和晶粒本身的溶解速度是不同的，晶界的溶解速度遠(yuǎn)大于晶粒本身的溶解速度，“貧鉻區(qū)”作為陽及與晶粒構(gòu)成大陰及小陽及的微電偶電池，造成“貧鉻區(qū)”的選擇性局部腐蝕，也就是晶間腐蝕。

　　晶間腐蝕發(fā)生后，金屬雖然表面仍保持一定的金屬光澤，也看不出被破壞的跡象，但晶粒間的結(jié)合力已顯著減弱，強(qiáng)度下降，冷彎后表面出現(xiàn)裂縫，零件容易遭到破壞。晶間腐蝕隱蔽性強(qiáng)，突發(fā)性破壞幾率大，因此有嚴(yán)重的危害性，尤其在焊接時(shí)，焊縫附近的熱影響區(qū)更容易發(fā)生晶間腐蝕。
　　以晶間腐蝕為起源，在應(yīng)力和腐蝕介質(zhì)的共同作用下，可使不銹鋼由晶間腐蝕轉(zhuǎn)變?yōu)閼?yīng)力腐蝕開裂。那么我們?cè)谶M(jìn)行晶間腐蝕試驗(yàn)的時(shí)候，就需要通過材料的性能以及使用上，進(jìn)行系統(tǒng)的了解和分析。